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  • 檢索結果:共8筆資料 檢索策略: "碳化矽".ckeyword (精準) and year="108"


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    1

    具有p型埋入層的碳化矽功率金氧半場效電晶體
    • 電子工程系 /108/ 碩士
    • 研究生: 張劭鴻 指導教授: 莊敏宏
    • 近年來,碳化矽(SiC)被廣泛研究使用,而隨著功率元件的蓬勃發展,將碳化矽用來作為功率元件的材料之研究也越來越多,因此本論文即是在探討用碳化矽來當作材料之功率電晶體之研究。 此研究目的就是致力於製作…
    • 點閱:289下載:0
    • 全文公開日期 2025/06/15 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    2

    光觸媒催化輔助於單晶4H-碳化矽晶圓研光複合盤製造之研究
    • 機械工程系 /108/ 碩士
    • 研究生: 林寬 指導教授: 陳炤彰
    • 電動汽車、再生能源及快速充電等高功率元件的應用矽功率元件已無法滿足市場需求,因此單晶碳化矽 (SiC) 相較於單晶矽具有高寬能隙、高崩潰電壓及高熱傳導率等特性較適合用於高功率元件,然而單晶碳化矽具有…
    • 點閱:252下載:5

    3

    強化相比例對AZ61/SiC鎂基複合材料鑄錠 及珠擊後之機械性質影響研究
    • 機械工程系 /108/ 碩士
    • 研究生: 林聖哲 指導教授: 黃崧任
    • 本研究利用鑄造方式製備AZ61鎂基複合材料,使用微米SiC顆粒作為所需添加的強化相,並以攪拌鑄造法的製程將強化相融入AZ61鎂合金中,強化相添加比例分別為1wt.%及2wt.%,之後對材料進行T4固…
    • 點閱:372下載:1

    4

    4H-SiC缺陷分析及其與蕭特基二極體電性之關聯性
    • 化學工程系 /108/ 碩士
    • 研究生: 李建緯 指導教授: 洪儒生
    • 本論文針對碳化矽磊晶層中存在之缺陷進行表徵及生長機制的探討,並透過製作不同尺寸大小之蕭特基二極體,藉由元件電性量測後再對其進行缺陷的反向工程分析,微觀探討元件磊晶層中各種型態缺陷對元件特性之影響,並…
    • 點閱:339下載:0
    • 全文公開日期 2025/08/24 (校內網路)
    • 全文公開日期 2025/08/24 (校外網路)
    • 全文公開日期 2025/08/24 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    5

    數位控制碳化矽圖騰柱無橋式功率因數修正器
    • 電子工程系 /108/ 碩士
    • 研究生: Phan Nhat Truong 指導教授: 邱煌仁
    • 交流-直流電源轉換器加入功率因數修正級的主要優勢為降低諧波失真及較佳的功率因數。傳統功率因數修正的缺點包含在二極體橋式有高的導通損失、低功率密度、多元件與高成本,無橋式圖騰柱功率因數修正器在功率因數…
    • 點閱:318下載:28

    6

    富勒烯複合式拋光液於單晶碳化矽晶圓化學機械拋光之研究
    • 機械工程系 /108/ 碩士
    • 研究生: 華振廷 指導教授: 陳炤彰
    • 單晶碳化矽晶圓(Silicon Carbide, SiC)擁有高崩潰電壓、寬能隙及高熱傳導率之材料特性,因此像是電動車等高功率元件市場上有較大的需求,然而單晶碳化矽晶圓具有高硬度與高抗化學之材料性質…
    • 點閱:296下載:3

    7

    氮化鎵成長於石墨烯/碳化矽基板之研究
    • 材料科學與工程系 /108/ 碩士
    • 研究生: 陳婕誼 指導教授: 柯文政
    • 點閱:276下載:0
    • 全文公開日期 2024/11/04 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    8

    理論計算於乙炔在矽(100)表面碳化機制之研究
    • 化學工程系 /108/ 碩士
    • 研究生: 陳琮叡 指導教授: 洪儒生 江志強
    • 碳化矽是一個具有良好物理、機械和電子特性的寬能隙材料,使其成為下一個世代中高功率元件的替代材料。在過去大家對於矽基板上磊晶成長碳化矽有很大的興趣,因為其具有低成本以及大面積的優勢,另一方面將矽表面進…
    • 點閱:284下載:0
    • 全文公開日期 2025/08/26 (校內網路)
    • 全文公開日期 2025/08/26 (校外網路)
    • 全文公開日期 2025/08/26 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)
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